碳化硅半导体龙头公司(钒钛龙头股)

产业链概况：高压性能击中新能源痛点

SiC产业链概况

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半绝缘碳化硅具备高电阻的同时可以承受更高的频率，主要应用在高频射频器件；同样根据中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟的测算：

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另一个重要的特点是碳化硅肖特基二极管具有正的温度系数，随着温度的上升电阻也逐渐上升，这使得 SIC 肖特基二极管非常适合并联实用，增加了系统的安全性和可靠性。总结来看，SIC 肖特基二极管具有的特点如下：1）几乎无开关损耗；2）更高的开关频率；3）更高的效率；4）更高的工作温度；5）正的温度系数，适合于并联工作；6）开关特性几乎与温度无关。

如果说此前行业间还在思考是否需要那么着急从6英寸迈入8英寸碳化硅衬底领域，随着头部厂商的积极迈步，这一趋势变得更加明显。

天风证券认为，SiC功率元件有极佳的内在特质：高效率，降低能量损耗；高转换频率，增加能量强度；可在更高的温度下运行，提升长期可靠性。SiC MOSFET相较于传统的Si-IGBT体积缩小了50%，效率提升了2%，器件的使用寿命得到延长。SiC有助于降低电动车用户的使用成本：提升效率以达到节电目的，在相同输出功率下可增加续航里程、提升充电速度，解决新能源汽车痛点。新能源汽车变革下，SiC供不应求，未来有望维持高景气。相关的上市公司如：晶盛机电(300316)；三安光电(600703)；思达半导(603290)；双良节能(600481)；楚天新材(002171)；中天火箭(003009)；立霸股份(603519)等等。

2019 年国际企业推出的部分经典 SiC 器件产品

2019 年国际上的功率半导体巨头不断推出新的基于 SIC 材料的功率器件，且推出的几款 SiC SBD 及 MOSFET 均符合车规级（AEC-Q101）标准，这些产品应用于新能源车或者光伏领域等功率器件需求场景，将显著减少功耗，提高转化效率。

SiC衬底供给格局：市场份额呈现集中状态，巨头营收快速增长

根据 CASA 的统计，业内反应 SiC SBD 实际的批量采购成交价已经降至 1元/A 以下，耐压 600-650V 的产品业内批量采购价约为 0.6 元/A，而耐压 1200V的产品业内批量采购价约为 1 元/A。

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3). 低无效热耗：开关频率高, 速度快, 所产生无效的热耗减少, 使的电路、散热系统得以简化。

CINNO Research半导体事业部总经理Elvis Hsu对21世纪经济报道记者指出，SiC MOSFET相较于硅基MOSFET，其优势在于低电阻、低损耗、耐高温、耐高压尤其是1200V以上，切换速度更快，以及具有更小的芯片面积。无论是在电机驱动、车载充电、或电源转换及充电系统，均比硅基MOSFET有强大的优势。碳化硅功率器件主要应用领域包含电动汽车、电力供应、光伏、以及航天军工等，而中国是全球最大的电动汽车市场，已成为SiC器件市场增长的主要驱动力，随着SiC产能扩张出量，成本得以有效降低，势必加速在新能源汽车的渗透率。国内公司如山东天岳先进、华润微、三安光电、扬杰科技等，有望迎来国产应用发展的甜蜜点。

2025 年市场需求：预计 4 英寸半绝缘到 2 万片、6 英寸到 10 万片；

据了解，特斯拉的Model3和ModelY已经全面升级到SiC的主驱逆变器，明年有望实现所有车型全面应用。在此方面，国内外其它车企例如丰田、比亚迪、蔚来、等都陆续宣布采用碳化硅方案。其中比亚迪汉EV车型上已开始使用自主研发的SicMOSFET(碳化硅功率场效应晶体管)。

▌光、车加速渗透 SiC或将迎“增速最快”三年

相比之下，同属备受瞩目的化合物半导体材料，氮化镓领域则表现相对平淡。龚瑞骄认为，这是由于氮化镓功率半导体市场仍处于起步阶段，以专注于此的中小型厂商较为活跃，而国际IDM大厂仍将更多注意力给予了碳化硅。

我相信大多数朋友还是搞不清楚化学元素周期表包含哪些龙头股？